Las bolas centrales de cobre son materiales de interconexión central para empaquetamiento 3D, apilamiento de memoria HBM, integración de alta-densidad de chips de IA y GPU de -alta gama, e informática de alto-rendimiento. Su estabilidad estructural y su excelente rendimiento electrotérmico respaldan los procesos de apilamiento de múltiples capas y mejoran la confiabilidad del sistema.
Embalaje 3D: la base estructural para el apilamiento de alta-densidad
En el embalaje 3D, se apilan verticalmente varios chips dentro del mismo paquete, lo que requiere múltiples procesos de soldadura por reflujo. Las bolas de soldadura tradicionales, después de fundirse a altas temperaturas, son propensas a colapsar bajo la presión gravitacional, lo que provoca cortocircuitos. Las bolas con núcleo de cobre, con su punto de fusión del núcleo de cobre de 1083 grados, permanecen sólidas durante la soldadura por reflujo a alrededor de 250 grados, manteniendo eficazmente los espacios de las uniones de soldadura, evitando la deformación y los puentes, y asegurando la estabilidad de la estructura multi-capa.
Apilamiento de memorias de HBM: el apoyo clave para romper el "muro de la memoria"
La memoria de alto-ancho de banda (HBM) alcanza velocidades de transferencia de datos de nivel-TB/s al apilar verticalmente varias capas de chips DRAM. Esta estructura impone exigencias extremadamente altas a la fiabilidad de las uniones soldadas. Las bolas con núcleo de cobre no solo garantizan la estabilidad espacial física entre las múltiples capas de DRAM dentro de HBM sino que también, con su conductividad entre 5 y 10 veces mayor que la de las bolas de soldadura, reducen significativamente la densidad de corriente, suprimen la electromigración y extienden la vida útil de la memoria.
Chips de IA: la solución preferida para alto consumo de energía y alta densidad de corriente Los chips de entrenamiento de IA (como el NVIDIA H100) pueden consumir cientos de vatios durante el funcionamiento, con densidades de corriente locales extremadamente altas. La alta conductividad y la conductividad térmica de las esferas del núcleo de cobre ayudan a reducir la latencia de la señal, mejorar la eficiencia energética y disipar rápidamente el calor, aliviando los problemas de los puntos calientes. Sus ventajas en resistencia a la electromigración y a los golpes garantizan el funcionamiento estable de los chips de IA bajo cargas elevadas a largo plazo-.
Empaquetado de GPU de -alta gama: habilitación de gráficos e informática de alto-rendimiento Las GPU modernas-de alta gama emplean diseño Chiplet y tecnología de empaquetado 2,5D/3D para integrar el núcleo informático y la memoria HBM a través de un intercalador de silicio. Las bolas con núcleo de cobre, que sirven como medio de interconexión vertical entre el chip y el interposer, no solo son compatibles con los equipos de montaje de bolas-existentes y los procesos de reflujo, sino que también mantienen la confiabilidad de la conexión durante múltiples ciclos térmicos, lo que las convierte en un componente clave para lograr una comunicación de alto-ancho de banda y baja-latencia.
